刘鹏：“80后”半导体材料专家

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　　■刘鹏(左)和同事在工作室提取氮化镓单晶片 本报记者 杨泽彬 摄　　
头顶北大硕士的光环，1981年出生的刘鹏正从事着最前沿的半导体材料研究工作。他主持设计的氢化物汽相外延(HVPE)设备，正在为东莞市中镓半导体科技有限公司源源不断地生产出氮化镓单晶。而这家公司是国内首家专业生产氮化镓(GaN)衬底材料及相关技术的企业。　　
刘鹏具有较强的技术功底，是该企业骨干技术人才。作为课题负责人，他承担了3项国家科技部863计划项目研究工作，还参与了一项973计划的研究。去年他被评为“东莞市企业技术创新之星”，今年又当选“东莞市劳动模范”。　　
自主设计HVPE设备　　
刘鹏介绍道,若采用GaN等同质衬底实现同质外延，不仅可以解决氮化物外延材料缺陷密度高、难以解理、器件可靠性差等问题，而且可以发展垂直结构的新型电子、光电子器件，大幅度提高器件性能，并避开现有二步生长法相关的国际专利壁垒。　　
因此，国际上一般认为：谁先解决GaN单晶衬底制备的关键科学和技术问题，并实现产业化生产，谁就会占据未来III族氮化物半导体研究和产业化的战略制高点。　　
刘鹏带领的中镓研发团队正是基于这样的动机，开发适用于氮化镓单晶衬底制备的核心生长设备和相应拥有自主知识产权的HVPE设备制造技术。　　建国际上最大的HVPE设备　　
2008年,刘鹏担任公司生产一部副经理，他负责的部门集生产与研发于一体，既使用已研制和组建成功的氢化物汽相外延(HVPE)设备生产质量优异的GaN-Al2O3复合衬底，更在此类HVPE设备的基础上研发设计产能更高、性能更好的先进设备。　　
通过团队的不懈努力，不到18个月的时间就顺利组建6台三片基HVPE先进设备，并于2010年11月投入使用，生产效率提高2倍，目前运行状况良好，成品率90%以上。　　
2009年初，汲取已有国产设备研制的成功经验，借鉴国外引进先进科研设备的设计理念，利用机械设计及流体模拟等功能软件辅助，成功设计出单片基HVPE。　　
在此基础上，刘鹏带领团队的伙伴们秉承不断创新的理念，攻克重重难关，开始设计三片基HVPE设备，并不断吸纳多方面人才的强大力量，利用机械设计及流体模拟等功能软件辅助设计，将理论与实践紧密地结合在一起，使每一个设计思路都实际化，大大地减少了无证据空思路带来的失误及返工工作。　　
目前，他带领的团队正在开展更大型的适合产业化的21片HVPE机型的研发，已完成设备的主体部分，预期于2013年底能完成所有部件的搭建和调试运行工作，届时将成为国际上最大型的HVPE设备，为我国高端先进装备制造业占领一个新的阵地。

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